大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
PNP / NPN外延平面硅晶体管
CSA709 PNP
CSC1009 NPN
TO-92
CBE
高电压放大器。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
CSA709
CSC1009
VCBO
160
160
集电极基极电压
VCEO
150
140
集电极发射极电压
VEBO
8.0
8.0
发射极基极电压连续
IC
700
700
集电极电流
PC
800
800
集电极耗散
TJ ， TSTG
-55到+150
-55到+150
工作和存储结
温度范围
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
CSA709
CSC1009
VCBO
IC=100uA.IE=0
>160
>160
集电极基极电压
VCEO
IC=10mA,IB=0
>150
>140
集电极发射极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
>8.0
>8.0
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 60V ， IE = 0
-
<100
集电极切断电流
VCB = 100V ， IE = 0
<100
-
IEBO
VEB = 5V ， IC = 0
<100
<100
射极切断电流
的hFE *
IC=50mA,VCE=2V
40-400
40-400
直流电流增益
<0.4
<0.7
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） * IC =的200mA， IB = 20mA下
VBE （星期六） * IC =的200mA， IB = 20mA下
<1.1
<1.1
基极发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
出，将电容
单位
V
V
V
mA
mW
摄氏度
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
ft
COB
IC = 50mA时VCE = 10V
VCB = 10V ， IE = 0
f=1MHz
typ50
<10
>30
typ8.0
兆赫
pF
CSC1009 R： 40 - 80
CSA709
-
*脉冲测试： PW = 350us ，占空比= 2 ％
*分类的hFE
O : 70 -140
O : 70 -140
Y : 120-240
Y : 120-240
G: 200-400
G: 200-400
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数据表
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CDIL [ Continental Device India Limited ]
