CSB1370 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CSB1370
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内容描述：	PNP硅外延功率晶体管 [PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 92 K
品牌：	CDIL [ Continental Device India Limited ]

大陆设备印度有限公司

一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商

IS / ISO 9002

里克＃ QSC / L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

PNP硅外延功率晶体管

CSB1370

(9AW)

TO-220

标记：如下

专为自动对焦功率放大器。

绝对最大额定值（Ta = 25deg C）

描述

符号

VCBO

集电极基极电压

VCEO

集电极发射极电压

VEBO

发射极 - 基极电压

集电极电流

ICP

PEAK

功率耗散@ TA = 25℃

功耗@ TC = 25℃

结温

TSTG

存储温度范围

电气特性（TA = 25℃除非指定）

描述

符号

测试条件

VCEO

IC = 1mA时， IB = 0

集电极 - 发射极电压

VCBO

IC = 50uA的， IE = 0

集电极 - 基极电压

VEBO

IE=50uA,IC=0

发射极电压

ICBO

VCB = 60V ， IE = 0

收藏家切断电流

IEBO

VEB=4V,IC=0

发射器切断电流

VCE （ SAT ）

IC=2A,IB=0.2A

集电极 - 发射极饱和电压

VBE （ SAT ）

IC = 2A ， IB = 0.2A

基极发射极饱和电压

的hFE

IC = 0.5A ， VCE = 5V

直流电流增益

动态特性

VCE=5V,IC=0.5A,

跃迁频率

f=5MHz

COB

VCB = 10V ， IE = 0

集电极输出电容

f=1MHz

的hFE分类： -

标记：

D : 60 -120;

CSB

1370

E : 100 -200

CSB

1370

价值

5.0

3.0

6.0

2.0

150

-55到+150

民

5.0

典型值

最大

1.5

320

单位

摄氏度

单位

兆赫

F : 160 -320

CSB

1370

大陆设备印度有限公司

数据表

第1页3

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