大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN硅外延功率晶体管
CSC2688
TO-126
EC
B
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
价值
VCBO
300
集电极基极电压
VCEO
300
集电极发射极电压
VEBO
5
发射极电压
IC
200
连续集电极电流
PC
1.25
集电极耗散功率@ TA = 25℃
PC
10
集电极耗散功率@ TC = 25℃
Tj
150
结温
TSTG
-55到+150
存储温度范围
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO
IC = 5毫安， IB = 0
集电极 - 发射极电压
VCBO
IC = 0.1毫安， IE = 0
集电极 - 基极电压
VEBO
IE=0.1mA,IC=0
发射极电压
ICBO
VCB = 200V ， IE = 0
收藏家切断电流
IEBO
VEB=4V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） * IC = 50mA时IB = 5毫安
集电极 - 发射极饱和电压
的hFE *
IC = 10毫安， VCE = 10V
直流电流增益
动态特性
ft
VCE=30V,IC=10mA,
跃迁频率
CRE
VCB = 30V ， IE = 0
反馈电容
f=1MHz
*分类的hFE
R: 40-80
O : 60-120
Y :100-200
*脉冲测试： PW = 350uS ，占空比= 2 ％
单位
V
V
V
mA
W
W
摄氏度
摄氏度
民
300
300
5
-
-
-
40
50
-
G :160-250
最大
-
-
-
0.1
0.1
1.5
250
-
3
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页2
CDIL [ Continental Device India Limited ]
