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CSD1306F图片预览
型号: CSD1306F
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内容描述: NPN硅平面外延型晶体管 [NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 78 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.3
NPN硅平面外延型晶体管
引脚配置( NPN )
1 - 基地
2 = EM伊特尔
3 - 集电极
CSD1306
( SAW)的
3
SOT-23
形成SMD封装
1
2
记号
CSD1306E=06
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值
功率耗散@ T
a
=25ºC
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
D
T
j,
T
英镑
价值
30
15
5
700
1
200
- 55 〜+ 150
单位
V
V
V
mA
A
mW
ºC
电气Characterstics (T
a
= 25ºC除非另有规定)
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
基极发射极电压
集电极发射极饱和
电压
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
输入电容
h
FE
分类
CSD1306ERev_3 300103E
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
V
BE(上)
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
C
ob
C
ib
条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1μA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=150mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 1V ,我
C
=150mA
V
CE
= 1V ,我
C
=150mA,
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
D : 250 - 500
E : 300 - 800
30
15
5
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
1.0
1.0
1.0
0.5
250
250
10
100
F : 600 -1200
1200
兆赫
pF
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
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