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型号: CSD1489
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内容描述: NPN外延平面硅晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 61 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN外延平面硅晶体管
CSD1489
TO-92
BCE
低频功率放大器。
补充CSB1058
绝对最大额定值(Ta = 25deg C除非另有说明)
描述
符号
价值
BVCBO
20
集电极基极电压
BVCEO
16
集电极 - 发射极电压
BVEBO
6.0
发射极电压
IC
2.0
集电极电流
PC
0.75
集电极耗散功率
TJ , TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
BVCBO
IC = 10uA的, IE = 0
20
集电极基极电压
BVCEO
IC = 1mA时, IB = 0
16
集电极 - 发射极电压
BVEBO
IE =为10uA , IC = 0
6.0
发射极电压
ICBO
VCB = 16V , IE = 0
-
收藏家切断电流
IEBO
VEB = 6V , IC = 0
-
发射器切断电流
的hFE *
VCE = 2V , IC = 0.1A
100
直流电流增益
VCE = 2V , IC = 2A
75
VCE (星期六) IC = 1A , IB = 0.1A
-
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
ft
VCE = 2V , IC = 10毫安,
-
跃迁频率
COB
VCB = 10V , IE = 0
-
集电极输出电容
f=1MHz
的hFE *分类:
A 100-240;
B 200-400;
C 350-500
单位
V
V
V
A
W
摄氏度
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
80
20
最大
-
-
-
2.0
0.2
500
-
0.3
-
-
单位
V
V
V
uA
uA
V
兆赫
pF
大陆设备印度有限公司
数据表
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