CSD611 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CSD611
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内容描述：	NPN硅塑力达林顿晶体管 [NPN SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管达林顿晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 116 K
品牌：	CDIL [ Continental Device India Limited ]

大陆设备印度有限公司

通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司

NPN硅塑力达林顿晶体管

CSD611

(9AW)

TO-220

标记： CSD

611

设计用于继电器驱动器和电机驱动

绝对最大额定值（Ta = 25deg C）

描述

符号

价值

VCBO

110

集电极基极电压

VCEO

110

集电极 - 发射极电压

VEBO

5.0

发射极电压

6.0

集电极电流

ICP

9.0

t=100ms

1.0

基极电流

2.0

集电极耗散功率@ TA = 25℃

集电极耗散功率@ TC = 25℃

150

结温

TSTG

-55到+150

存储温度范围

电气特性（TA = 25℃除非指定）

描述

符号

测试条件

民

典型值

VCEO

IC = 30mA时IB = 0

110

集电极 - 发射极电压

ICBO

VCB = 110V ， IE = 0

收藏家切断电流

IEBO

VEB=5V,IC=0

发射器切断电流

VCE （ SAT ）

IC = 5A ， IB = 5毫安

集电极 - 发射极饱和电压

的hFE

IC = 2A ， VCE = 3V

2.0

直流电流增益

IC = 6A ， VCE = 3V

1.0

动态特性

VCE=5V,IC=0.2A,

跃迁频率

f=10MHz

COB

VCB = 10V ， IE = 0

集电极输出电容

f=1MHz

单位

摄氏度

最大

100

3.0

2.5

单位

兆赫

大陆设备印度有限公司

数据表

第1页3

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