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D13003 参数 Datasheet PDF下载

D13003图片预览
型号: D13003
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 79 K
品牌: CDIL [ Continental Device India Limited ]
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大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN硅功率晶体管
CD13003
TO-126
标记: CD
13003
应用程序。
适用于照明,开关稳压器和电机控制。
绝对最大额定值
描述
符号
价值
VCBO
600
集电极基极电压
VCEO
400
集电极发射( SUS )电压
VEBO
9.0
发射极基极电压连续
IC
1.5
连续集电极电流
ICM
3.0
高峰( 1 )
IB
0.75
基极电流连续
IBM
1.5
高峰( 1 )
IE
2.25
发射极电流连续
IEM
4.5
高峰( 1 )
PD
1.4
功率耗散@ TA = 25℃
11.2
减免上述25℃
PD
45
功耗@ TC = 25℃
320
减免上述25℃
TJ , TSTG
-65到+150
工作和存储结
温度范围
热阻
RTH (J -C )
3.12
结到外壳
Rth的第(j-一)
89
结到环境
铅的最大温度
焊接用途: 8"分之1从案例
TL
275
为5秒。
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 5ms的占空比= 10 %
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
最小值典型值
VCBO
IC = 1mA时, IE = 0
600
-
集电极基极电压
VCEO ( SUS) * IC = 10毫安, IB = 0
400
-
集电极发射( SUS )电压
ICBO
VCB = 600V , IE = 0
-
-
集电极电流Cuttoff
VCB = 600V , IE = 0 , TC = 100℃
-
-
IEBO
VEB = 9V , IC = 0
-
-
射极电流Cuttoff
的hFE *
IC=0.5A,VCE=5V
8.0
-
直流电流增益
IC=2A,VCE=5V
5.0
-
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度
最大
-
-
1.0
5.0
1.0
40
25
单位
V
V
mA
mA
mA
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3