大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
NPN / PNP硅功率达林顿晶体管
TIP122F NPN
TIP127F PNP
TO-220FP
B
CE
专为通用放大器和低速开关应用。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C）
描述
符号
VCBO
集电极基极电压
VCEO
集电极发射极电压
VEBO
发射极电压
IC
集电极电流 - 连续
ICM
集电极电流（峰值）
IB
基极电流
PD
总功率耗散@ T = 25℃
减免上述25℃
PD
总功率耗散@ TA = 25℃
减免上述25℃
E
非钳位感性负载能源（ 1 ）
Tj
结温
TSTG
存储温度范围
热阻
Rth的第（j-一）
从结点到环境
RTH （J -C ）
从结点到外壳
（ 1 ） IC = 1A ， L = 100MH ， PRF = 10Hz的， VCC = 20V ， RBE = 100欧姆的
电气特性（TA = 25℃除非指定）
描述
符号
测试条件
VCEO （ SUS） * IC = 100mA时IB = 0
集电极 - 发射极（ SUS ）电压
ICBO
VCB = 100V ， IE = 0
收藏家切断电流
ICEO
IB = O ， VCE = 50V
IEBO
VEB=5V,IC=0
发射器切断电流
VCE （星期六） *
IC = 3A ， IB = 12毫安
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 5A ， IB = 20mA下
VBE （ ON） *
IC = 3A ， VCE = 3V
基极发射极电压
的hFE *
IC = 0.5A ， VCE = 3V
直流电流增益
IC = 3A ， VCE = 3V
价值
100
100
5.0
5.0
8.0
120
65
0.52
2.0
0.016
50
150
-65到+150
62.5
1.92
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W /摄氏度
W
W /摄氏度
mj
摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
民
100
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
最大
-
0.2
0.5
2.0
2.0
4.0
2.5
-
-
单位
V
mA
mA
mA
V
V
V
K
K
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数据表
第1页3
CDIL [ Continental Device India Limited ]
