S/TRI/SGT962360/B/7/05/2002
Caractéristiques德架次（ 20 ° C）
/输出特性（在20
°
C)
参数研究/
参数
张力德充/
负载电压
Plage的紧张局势德fonctionnement /
工作范围
张力克里特岛/
峰值电压
Niveau德synchonisation /
同步水平
张力D' amorçage /
闭锁电压
柯朗标称AC- 51 / AC- 51
额定电流
新闻报德收费不répétitif /非
重复过载电流
滑道紧张DIRECTE克里特岛/
上态压降
新闻报德fuite政变BLOQUE /
关闭状态漏泄电流
新闻报德充最小/
最小负载电流
临时工德fermeture /
启动时间
临时工D' ouverture /
关闭时间
普拉日德频/
工作频率范围
dv / dt的政变BLOQUE /
关机状态下的dv / dt
di / dt的最大非répétitif /
最大的di / dt不重复
I
2
T（ <10ms ）
EMC测试D' immunité conduite /
传导抗扰度等级
EMC测试D' immunité conduite /
传导抗扰度等级
即符合/
一致性
Caractéristiques thermiques /
热曲线
:
110
100
第2页/ 2个F / GB
条件
符号
Ue
Uemin -MAX
Up
Usync
Ua
即AC- 51
ITSM
Vd
ILK
即分
吨最大
花花公子最大
f
dv / dt的
的di / dt
I
2
t
典型值。
400
24-600
1200
24
10
25
单位
V有效值
V有效值
V
V
V
均方根
即NOM
（参照图2）
tp=10ms
（图3）的
@即NOM
@Ue ， 50赫兹
UC NOM DC ， F = 50Hz的
UC NOM DC ， F = 50Hz的
IEC 1000-4-4 （突发）
IEC 1000-4-5 （ schocks ）
EN60947-4-x
230
A
1,4
V
1
mA
5
mA
10
ms
10
ms
10-440
Hz
500
V / μs的
50
A / μs的
265
A
2
s
2kV的标准B
2kV的crit.A与外部VDR
0,55K/W
90
80
共浪费的功率（ W）
全导通状态
70
60
50
40
30
20
10
0
无需散热器
1,2K/W
0,9K/W
图3库尔伯代收费德柯朗/
过载电流曲线
0
5
10
15
20
25
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
环境温度（ ℃）
RMS负载电流（ A）
浪涌电流Itsm的（垂坠） = F （ T）为Itsm的= 230A
250
ITSM （垂坠）
200
150
100
50
0
重复Itsm的（垂坠） = F （t）的
与电压重新申请初始TJ = 70℃
无重复Itsm的（垂坠） = F （T ）无电压重新申请
1 -Itsm非répétitif SANS紧张réappliquée EST
多恩倒拉的决心宫的保护。
没有重复Itsm的是无电压给定
重新申请保护的决心。
2 -Itsm répétitif EST邓恩倒DES附加费德
柯朗（ TJ initiale = 70 ° C） 。香格里拉重复德国际消费电子展
附加费德柯朗diminue拉绵延去争夺杜
Relais酒店。
重复Itsm的给出了浪涌电流
最初的TJ = 70
°
浪涌电流C的重复
租金降低使用寿命SSR的。
0,01
0,1
T（ S）
1
10
注意事项：
*莱斯Relais酒店单semiconducteurs NE procurent PAS D'隔离
galvanique恩特雷里奥斯乐行动网等拉费。
注意事项
:
*半导体继电器不提供任何电insu-
在负载和电源之间分页。
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