S/CEL/SIC865560/B/21/04/2004
第2页/ 2个F / GB
Caractéristiques德架次（ 20 ° C）
/输出特性（在20℃ ）
参数研究/
参数
张力德充/
负载电压
Plage的紧张局势德fonctionnement /
工作范围
张力克里特岛/
峰值电压
Niveau德synchonisation /
同步水平
张力D' amorçage /
闭锁电压
柯朗标称AC- 51 / AC- 51
额定电流
柯朗标称AC- 53 / AC- 53
额定电流
新闻报德收费不répétitif /非
重复过载电流
滑道紧张DIRECTE克里特岛/
上态压降
新闻报德fuite政变BLOQUE /
关闭状态漏泄电流
新闻报德充最小/
最小负载电流
临时工德fermeture /
启动时间
临时工D' ouverture /
关闭时间
普拉日德频/
工作频率范围
dv / dt的政变BLOQUE /
关机状态下的dv / dt
di / dt的最大非répétitif /
最大的di / dt不重复
I
2
T（ <10ms ）
即符合/
一致性
图。 2库尔伯thermiques /
热特性
t情况
马克斯（ ° C）
钯（瓦）
100
90
0,95K/W
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
110 120
RMS负载电流： I（A ）
环境温度：环境温度Tamb （ ° C）
6K/W
在国家50 ％
1,6K/W
全开状态
80
85
1,1K/W
90
95
100
2,2K/W
0,55K/W
0,75K/W
0,3K/W
70
75
条件
即NOM
（参照图2）
符号
Ue
Uemin -MAX
Up
Usync
Ua
即AC- 51
ITSM
Vd
ILK
即分
吨最大
花花公子最大
f
dv / dt的
的di / dt
I
2
t
典型值。
400
24-600
1200
50
8
32
550
1,3
<1
5
10
10
0,1-440
500
50
1500
单位
V有效值
V有效值
V
V
V
均方根
A
V
mA
mA
ms
ms
Hz
V / μs的
A / μs的
A
2
s
*
tp=10ms
（图3）的
@即NOM
@Ue ， 50赫兹
UC NOM DC ， F = 50Hz的
UC NOM DC ， F = 50Hz的
EN60947-4-x
*
倒费其他残疾
咨询者CELDUC
对于其他负载
咨询CELDUC
LIMITE德接驳。
终端限制：
32A
图3附加费德柯朗：ITSM （垂坠） = F （T ）倒MODELE 50A （ITSM = 550A ） /
浪涌电流：ITSM （垂坠） = F （ T）的50A型号Itsm的= 550A
600
ITSM （垂坠）
1 -Itsm非répétitif SANS紧张réappliquée EST
多恩倒拉的决心宫的保护。
没有重复Itsm的是无电压给定
重新申请保护的决心。
2 -Itsm répétitif EST邓恩倒DES附加费德
柯朗（ TJ initiale = 70 ° C） 。香格里拉重复德国际消费电子展
附加费德柯朗diminue拉绵延去争夺杜
Relais酒店。
重复Itsm的给出了浪涌电流
最初的TJ = 70 ℃。浪涌电流的重复
租金降低使用寿命SSR的。
400
附加费德柯朗不重复SANS紧张réappliquée /
无电压无重复浪涌电流重新应用。
200
附加费德柯朗重复AVEC紧张réappliquée /
重复浪涌电流与电压重新应用。
0
0,01
0,1
T（ S）
1
10
注意事项：
*莱斯Relais酒店单semiconducteurs NE procurent PAS D' GAL-隔离
vanique恩特雷里奥斯乐行动网等拉费。
注意事项
:
*半导体继电器不提供任何电绝缘
在负载和电源之间。
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