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NE3210S01-T1B 参数 Datasheet PDF下载

NE3210S01-T1B图片预览
型号: NE3210S01-T1B
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内容描述: 超低噪声HJ FET [SUPER LOW NOISE HJ FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 415 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NEC的超低
噪声HJ FET
特点
外形尺寸
2.0 ± 0.2
NE3210S01
(以毫米单位)
•超低噪声系数:
0.35分贝典型值在f = 12 GHz的
•高相关的增益:
13.5分贝TYP在f = 12 GHz的
包装外形SO1
• GATE长度:
L
G
≤ 0.20
μm
•门宽:
W
G
= 160
μm
1
2.
0
±
2
0.
2
描述
NEC公司的NE3210S01是一个伪形态异质结场效应管
使用Si掺杂AIGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改进的功率处理。其出色的低
噪声指数和高增益相关使其适合DBS
和商业系统。网元3210S01被容纳在一个低
成本的塑料封装,在磁带和卷轴可用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
0.125 ± 0.05
K
3
0.65 TYP
4
0.5
典型值
2.0±0.2
1.源
2.漏
3.源
4.门
1.9 ± 0.2
1.6
1.5 MAX
最大0.4
4.0 ± 0.2
电气特性
符号
G
A
NF
g
m
I
DSS
V
P
I
GSO
(T
A
= 25°C)
参数和条件
相关的增益
1
, V
DS
= 2 V,I
D
= 10 mA时, F = 12 GHz的
噪声系数
1
, V
DS
= 2 V,I
D
= 10 mA时, F = 12 GHz的
跨导,V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
饱和漏极电流,V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压,V
DS
= 2 V,I
D
= 100
μA
门源漏电流,V
GS
= -3 V
产品型号
包装外形
单位
dB
dB
mS
mA
V
uA
12
40
15
-0.2
NE3210S01
S01
典型值
13.5
0.35
55
40
-0.7
0.5
最大
0.45
70
-2.0
10
注意:
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些,当从大量材料50%的设备分别单独
在与输入单独调谐,得到最小值的电路测量的。最高值是在生产既定标准
LINE
作为"go -NO- go"筛查调整为"generic"类型,但不是每个标本。
美国加州东部实验室