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NE350184C 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE350184C
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内容描述: 异质结型场效应晶体管K- BAND超低噪声放大器N沟道HJ -FET [HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 265 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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异质结型场效应晶体管
NE350184C
K- BAND超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
•超低噪声指数和高增益相关
NF = 0.7 dB典型值。 ,G
a
= 13.5 dB典型值。 @ F = 20 GHz的
•微-X陶瓷( 84℃ )封装
应用
• 20 GHz的频带DBS LNB
•其他K波段通信系统
订购信息
产品型号
NE350184C-T1
NE350184C-T1A
订单号
NE350184C-T1-A
NE350184C-T1A-A
84C (无铅)
QUANTITY
1千件/卷
5千件/卷
记号
A
供给方式
• 12mm宽压纹带卷
•引脚4 (门)朝向侧穿孔
带的
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE350184C
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
评级
4
−3
I
DSS
80
165
+150
−65
+150
单位
V
V
mA
µ
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理,因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10584EJ01V0DS (第1版)
发布日期2005年11月CP ( K)