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NE3509M04-A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE3509M04-A
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内容描述: L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET [L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 11 页 / 1257 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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基本产品信息
异质结场效应TRANSISITOR
NE3509M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
- 超低噪声系数&相关的增益:
NF = 0.4分贝TYP 。 GA = 17.5分贝TYP 。 @ F = 2GHz的, VDS = 2V , ID = 10毫安
- 扁平引线4针锡型超小型模具( M04 )封装(无铅T. )
应用
- 卫星广播( SDARS , DMB等)天线LNA
- GPS天线LNA
- LNA微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3509M04
NE3509M04-T2
订单号
NE3509M04-A
NE3509M04-T2-A
QUANTITY
50件(非卷轴)
3千件/卷
V80
记号
供给方式
- 8mm宽压纹带卷
- 引脚1 (来源) ,PIN2 (漏)
面对带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品,请联系您当地的NEC销售办事处。
样品订购部件号: NE3509M04
绝对最大额定值(T
A
=+ 25
°C
)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
IG
P
合计
T
ch
T
英镑
评级
4.0
-3.0
I
DSS
200
150
+150
- 65 〜+ 150
单位
V
V
mA
µA
mW
°C
°C
安装在1.08厘米
2
X 1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
注意:当处理,因为这些器件对静电放电敏感遵守的注意事项。
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这是最新版本。
文件编号P ***** EJ0V0PM00 (第10版)
发布日期
2005年10月
CP ( K)
©
NEC化合物半导体器件2005年