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NE3514S02 参数 Datasheet PDF下载

NE3514S02图片预览

型号：	NE3514S02
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	K波段超低噪声放大器N沟道HJ -FET [K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用：	放大器
文件页数/大小：	8 页 / 265 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

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异质结型场效应晶体管

NE3514S02

K波段超低噪声放大器

N沟道HJ -FET

特点

•超低噪声指数和高增益相关

NF = 0.75 dB典型值。，G

a

= 10 dB典型值。 @ F = 20 GHz的

•微-X塑料（ S02 ）包

应用

• 20 GHz的频带DBS LNB

•其他K波段通信系统

订购信息

产品型号

NE3514S02-T1C

NE3514S02-T1D

订单号

NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1D-A

包

S02 （无铅）

QUANTITY

2千件/卷

10千件/卷

记号

D

供给方式

•8毫米宽压纹带卷

•引脚4 （门）朝向侧穿孔

带的

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。

样品订购部件号： NE3514S02

绝对最大额定值（T

A

= +25°C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

栅电流

总功耗

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

G

P

合计

记

评级

4

−3

I

DSS

100

165

+125

−65

+125

单位

V

V

mA

µ

A

mW

°C

°C

T

ch

T

英镑

记

安装在1.08厘米

2

×

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。

一号文件PG10593EJ01V0DS （第1版）

发布日期2006年2月CP （N ）

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