NEC的超低噪声HJ FET
NE4210S01
特点
•超低噪声系数：
0.50分贝TYP在f = 12 GHz的
•高相关的增益：
13.0分贝典型值在f = 12 GHz的
• GATE长度：
L
G
≤
0.20
µm
•门宽：
W
G
= 160
µm
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形SO1
2.0 – 0.2
1
0
2.
–
2
0.
2
描述
NEC 'S NE4210S01是一个伪形态异质结场效应管
使用Si掺杂AIGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改进的功率处理。其出色的低
噪声指数和高增益相关使其适合DBS
和商业系统。该NE4210S01装在一个低
成本的塑料封装，在磁带和卷轴可用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
L
3
0.65 TYP
4
0.5
典型值
2.0–0.2
1.源
2.漏
3.源
4.门
1.9 – 0.2
1.6
0.125 – 0.05
最大0.4
4.0 – 0.2
1.5 MAX
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
G
A
NF
g
m
I
DSS
V
P
I
GSO
参数和条件
相关的增益
1
, V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
噪声系数
1
, V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
µA
门源漏电流，V
GS
= -3 V
单位
dB
dB
mS
mA
V
µA
40
15
-0.2
民
11.0
NE4210S01
S01
典型值
13.0
0.50
55
40
-0.7
0.5
70
-2.0
10
0.70
最大
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -NO- go"筛查调整为"generic"类型，但不是每个标本。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
