NEC的NPN中功率
微波晶体管
特点
•高动态范围
• LOW IM失真：
-40 dBc的
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30.0
28.0
NE46100
NE46134
NE46134
典型输出功率
随输入功率
F = 1.0 GHz的，我
C
= 100毫安
12.5 V
10 V
26.0
24.0
22.0
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
5
10
15
20
25
5V
•高输出功率：
27.5 dBm的在TYP
•低噪音：
1.5分贝典型值在500MHz
·低成本
描述
NEC的NE461系列NPN硅外延双极晶体管
器是专为需要高，中功率应用
动态范围。该器件具有一个优秀的组合
的高增益和低的互调失真，以及灰
低噪声系数。该NE461系列提供出色的perfor-
性能并透过NEC的钛合金成本低可靠性，
铂金，黄金金属化系统和直接氮化passiva-
灰芯片的表面上。器件采用低
成本表面贴装型封装（ SOT- 89） ，以及在芯片的形式。
输入功率， P
IN
（ dBm的）
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
NF
民
G
L
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
P
1dB
IM
3
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 10 V，I
C
= 100毫安
最小噪声科幻gure
3
在V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安， 500 MHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安， 1 GHz的
线性增益，V
CE
= 12.5 V，I
C
= 100毫安， 2.0 GHz的
V
CE
= 12.5 V，I
C
= 100毫安， 1.0 GHz的
插入功率增益为10 V，50 mA时， F = 1.0 GHz的
直流电流增益
2
在V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
集电极截止电流在V
CB
= 20 V，I
E
= 0毫安。
发射极截止电流在V
EB
= 2 V，I
C
= 0毫安
输出功率在1 dB压缩，V
CE
= 12.5 V，I
C
= 100毫安， 2.0 GHz的
V
CE
= 12.5 V，I
C
= 100毫安， 1.0 GHz的
互调失真， 10伏100毫安， F1 = 1.0千兆赫， F2 = 0.99千兆赫，
总磷
OUT
= 20 dBm的
热阻（结到管壳）
热阻（结到环境）
µA
µA
DBM
DBM
dBc的
° C / W
° C / W
27.0
27.5
-40.0
30
312.5
-40.0
32.5
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
40
民
NE46100
00 （ CHIP ）
典型值最大值最小值
5.5
1.5
2.0
9.0
8.0
10.0
200
5.0
5.0
5.5
40
7.0
200
5.0
5.0
NE46134
2SC4536
34
TYP MAX
5.5
1.5
2.0
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲： PW
≤
350毫秒，占空比
≤
2%
3. RS = RL = 50
Ω
未调优
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
