NEC “
S
7.5 V UHF频段
NE5511279A
RF功率硅LD- MOS FET
特点
•高输出功率：
P
OUT
= 40.0 dBm的典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
OUT
= 40.5 dBm的典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
•高功率附加效率：
η
添加
= 48 ％典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
5.7 MAX 。
0.6±0.15
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
（底视图）
4.2 MAX 。
1.5±0.2
来源
来源
21001
4.4 MAX 。
•高线性增益：
G
L
= 15.0分贝典型值， F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
G
L
= 18.5分贝典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
•表面贴装封装：
5.7× 5.7 ×1.1 mm最大
W
0.4±0.15
5.7 MAX 。
0.8±0.15
1.0最大。
0.8最大。
3.6±0.2
应用
• UHF无线电系统
•蜂窝中继器
•双向无线电
• FRS / GMRS
•固定无线
描述
NEC的NE5511279A是横向的N沟道硅功率
扩散MOSFET的特别设计作为传输
动力扩增fi er为7.5 V无线电系统。死是制造
使用factured NEC的NEWMOS1技术和设在
表面贴装型封装。该器件可提供40.0 dBm的
输出功率48 ％的功率附加EF网络效率，在900兆赫
采用7.5 V电源电压。
(T
A
= 25°C)
民
38.5
−
42
−
−
−
−
−
−
−
1.0
−
−
20
典型值
40.0
2.5
48
15.0
40.5
2.75
50
18.5
−
−
1.5
5
2.3
24
最大
−
−
−
−
−
−
−
−
100
100
2.0
−
−
−
单位
DBM
A
%
dB
DBM
A
%
dB
nA
nA
V
° C / W
S
V
测试条件
F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 27 dBm时，
I
DSQ
= 400 MA（ RF OFF）
P
in
= 5 dBm的
F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 25 dBm时，
I
DSQ
= 400 MA（ RF OFF）
P
in
= 5 dBm的
V
GS
= 6.0 V
V
DS
= 8.5 V
V
DS
= 4.8 V，I
DS
= 1.5毫安
渠道情况
V
DS
= 3.5 V，I
DS
= 900毫安
I
DSS
= 15
μA
电气特性
符号
P
OUT
I
D
η
添加
G
L
P
OUT
I
D
η
添加
G
L
I
GSS
I
DSS
V
th
R
th
g
m
BV
DSS
参数
输出功率
漏电流
功率增加外汇基金fi效率
线性增益
输出功率
漏电流
功率增加外汇基金fi效率
线性增益
门源漏电流
漏极至源极漏电流
（零电压门漏电流）
栅极阈值电压
热阻
跨
漏源击穿电压
注意事项：
DC性能100 ％测试。 RF性能上的每片晶圆的几个样品进行测试。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
0.9±0.2
美国加州东部实验室
0.2±0.1
•单电源：
V
DS
= 2.8 〜8.0 V
1.2最大。
η
添加
= 50 ％典型值， F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
3
门
漏
门
漏
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
