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NE650103M 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE650103M
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内容描述: 10 W L & S波段功率GaAs MESFET [10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 7 页 / 223 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NEC “
S
10 W L & S- BAND
NE650103M
功率GaAs MESFET
特点
•低成本塑料封装
•可使用2.7 GHz的:
PCS ,W -CDMA WLL ,卫星上行链路, BWA
•高输出功率:
40 dBm的典型
•高功率附加效率:
45 %典型值在2.3 GHz的
•低热阻:
4.0 ° C / W
•无铅
2-φ 3.3 ± 0.3
13.8 ± 0.35
4.2 ± 0.4
5.84 ± 0.2
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形3M
20.32 ± 0.15
14.27 ± 0.15
3.5 ± 0.2
描述
NEC的NE650103M是一个10瓦的GaAs MESFET设计
的PCS ,W-CDMA , WLL发射机的应用程序。它能够
提供10瓦的输出功率,具有高线性增益,高
效率和卓越的线性度。可靠性和性能
均匀度是由NEC严格的质量控制和保证
程序
8.54 ± 0.2
2.04 ± 0.3
0.15 ± 0.05
来源
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
P
1dB
G
L
特征
电源输出的1分贝增益压缩
线性增益(在引脚
23 dBm的)
功率附加效率
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
= 25°C)
NE650103M
3M
单位
DBM
dB
%
A
V
° C / W
2.0
-4.0
39.0
10.0
典型值
40.0
11.0
45
5.0
-2.5
4.0
7.0
-1.0
4.5
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= 23毫安
渠道情况
F = 2.3千兆赫,V
DS
= 10.0 V
RG = 100
I
DSQ
1.5 A( RF OFF)
最大
测试条件
实用
特征
η
添加
I
DSS
V
P
R
TH
电力直流
特征
美国加州东部实验室
1.8 ± 0.3