NEC的3W ， L&S - BAND
NE6510179A
中功率的GaAs HJ- FET
特点
•低成本的塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴
•可使用3.7 GHz的：
固定无线接入， ISM ， WLL ， MMDS ， IMT-2000 ，
个
•高输出功率：
35 dBm的典型值5.0 V伏
32.5 dBm的典型值3.5 V伏
•高线性增益：
10分贝典型值在1.9 GHz的
0.9 – 0.2
4.2最大
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
1.5 – 0.2
来源
来源
5.7最大
0.6 – 0.15
X
I
门
漏
0.8 – 0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2
最大
0.8最大
3.6 – 0.2
T
5.7最大
9
0.4 – 0.15
•低热阻：
5°C/W
0.2 – 0.1
底部视图
描述
NEC的NE6510179A是GaAs的HJ- FET的专为中
功耗移动通信，固定无线接入， ISM ，
WLL ，PCS， IMT-2000 ，和MMDS发射机和订户
应用程序。它能够提供1.8瓦特输出的
功率（ C / W ）的ouptut功率为3.5 V和3瓦（ CW）在5 V
具有高线性增益，高效率和优异的线性。
可靠性和性能的均匀性是由NEC的放心
严格的质量控制程序。
注：除另有规定外，有容乃
±0.2
mm
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
= 25°C)
NE6510179A
79A
单位
DBM
dB
%
A
A
V
° C / W
V
12
-2.0
5
50
民
31.5
典型值
32.5
10.0
58
0.72
2.4
-0.4
8
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V ;我
D
= 14毫安
渠道情况
I
GD
= 14毫安
最大
测试条件
F = 1900兆赫，V
DS
= 3.5 V,
PIN = +25 dBm时， RG = 100
Ω
I
DSQ
= 200 MA（ RF OFF）
2
实用
特征
η
添加
I
D
I
DSS
功率附加效率
漏电流
饱和漏极电流
捏-O FF电压
热阻
栅漏击穿电压
电力直流
特征
V
P
R
TH
BV
GD
注意事项：
1.引脚= 0 dBm的
2.直流性能进行了测试100％。每个晶片的几个样品进行测试，以便RF性能。晶圆拒收标准为标准设备1
拒绝了几个样品。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
