NEC的1 W ， L&S - BAND
中功率的GaAs HJ- FET NE651R479A
特点
•低成本的塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴
•可使用3.7 GHz的：
固定无线接入， ISM ， WLL ， MMDS ， IMT-2000 ，
个
•高输出功率：
30 dBm的典型值5.0 V伏
27 dBm的典型值3.5 V伏
•高线性增益：
12分贝典型值在1.9 GHz的
•低热阻：
30°C/W
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
4.2最大
1.5
±
0.2
来源
来源
门
5.7最大
0.6
±
0.15
H
X
漏
0.8
±
0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
T
8
0.4
±
0.15
0.8最大
3.6
±
0.2
0.2
±
0.1
描述
NEC的NE651R479A是GaAs的HJ- FET的专为中
功耗移动通信，固定无线接入， ISM ，
WLL ，PCS， IMT-2000 ，和MMDS发射机和订户
应用程序。它能够提供0.5瓦的输出的
功率（ CW）在3.5 V ，输出功率为1瓦（ CW ）的5 V
具有高线性增益，高效率和优异的线性。
可靠性和性能的均匀性是由NEC的放心
严格的质量控制程序。
0.9
±
0.2
5.7最大
（底视图）
典型5 V的RF性能，以供参考（不指定）
(T
C
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
单位
DBM
dB
%
mA
民
典型值
29.5
12.0
58
350
最大
= 25°C)
测试条件
F = 1.9千兆赫，V
DS
= 5 V
P
IN
= +15 dBm的，R
G
= 1 k
Ω,
I
DSQ
= 50 MA（ RF OFF）
η
添加
I
D
注意：
1. P
IN
= 0 dBm的。
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
= 25°C)
NE651R479A
79A
单位
DBM
dB
%
mA
A
V
V
° C / W
-2.0
12
30
50
52
民
26.0
典型值
27.0
12.0
60
220
0.7
-0.4
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 14毫安
I
GD
= 14毫安
最大
测试条件
F = 1.9千兆赫，V
DS
=3.5 V
P
IN
= +15 dBm的，R
G
= 1 k
Ω,
I
DSQ
= 50 MA（ RF OFF）
2
η
添加
I
D
I
DSS
V
P
BV
GD
R
TH
耐热性，信道到外壳
注意事项：
1. P
IN
= 0 dBm的。
2.直流性能100 ％测试。晶片样品测试了RF性能。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒收样品很多。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
