NE651R479A-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NE651R479A-A
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内容描述：	中功率的GaAs HJ- FET [MEDIUM POWER GaAs HJ-FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 502 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NE651R479A

非线性模型

概要

漏

Ldpkg

L = 0.001 nH的

门

Lspkg

L = 0.001 nH的

L = 0.55 nH的

L = 1.45 nH的

Cdspkg

C = 0.1 pF的

Cdspkg

C = 0.1 pF的

FET非线性模型参数

(1)

参数

VTO

TOSC

LPHA

ETA

AMMA

ELTA

VBI

RIS

RID

TAU

CDS

RDB

CBS

消费品安全条例

(3)

Lspkg

L = 0.001 nH的

来源

0.9255

0.964

(2)

参数

RGMET

TNOM =

XTI =

Betatce =

FFE =

Vtotc =

1.0

0.2

0.05

1.43

1.5

AMMADC 0.002

1.5

0.6

1e-16

30e-12

0.2e-12

100e-12

1.1e-12

0.3

0.5

0.2

无限

14e-12

单位

参数

单位

皮法

纳亨

欧

电容

电感

阻力

型号齐全

频率：0.5至4GHz的

偏置： V

= 2.2 V to 4.6 V, I

= 50 mA to 350 mA

发布日期：

6/02/2003

GDO

(4)

ELTA1

ELTA2

VBR

(1) Series IV Libra TOM Model

在天秤座的参数对应于PSpice的参数：

(2) GAMMADC

GAMMA

(3) CGSO

CGS

(4) CGDO

CGD

11/02/2006

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