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NE662M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE662M04-T2
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 384 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NPN硅晶体管RF
NE662M04
NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽:
f
T
= 25 GHz的
低噪声系数:
NF = 1.1分贝2 GHz的
最大稳定增益:
20分贝在f = 2 GHz的
新LOW PROFILE M04包装:
SOT- 343的足迹,与刚刚0.59毫米高度
为更好的RF性能扁平引线型
M04
描述
NEC的NE662M04正在使用NEC的UHS0 25 GHz的˚F制造
T
晶圆工艺。为25千兆赫的典型转变的频率
NE662M04是在从100MHz到10GHz的应用中使用。该NE662M04提供了出色的低电压/低电流
性能。
NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合当今的便携式无线应用。该NE662M04是一个理想的选择
在所有的移动通信系统的LNA和振荡器的需求。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ,我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
正向电流增益
2
在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 30 mA时, F = 2 GHz的
最大可用功率增益
4
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
最大稳定增益
5
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
IN
= Z
选择
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
三阶截点在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
反馈电容
3
在V
CB
= 2 V,I
C
= 0中,f = 1 MHz的
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
14
单位
nA
nA
50
20
70
25
20
20
17
1.1
11
22
0.18
0.24
1.5
NE662M04
2SC5508
M04
典型值
最大
200
200
100
DC
I
EBO
h
FE
f
T
MAG
味精
|S
21E
|
2
NF
P
1dB
IP
3
CRE
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
µs,
占空比
2 %.
3.电容由电容计(自动平衡电桥法)时,发射极管脚被连接到防护针测量。
4. MAG = S
21
(
K- (K
2
-1)
)
S
12
5.味精= S
21
S
12
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发表日期: 2005年6月22日
RF