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NE662M16-T3-A 参数 Datasheet PDF下载

NE662M16-T3-A图片预览
型号: NE662M16-T3-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 176 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽:
f
T
= 25 GHz的
低噪声系数:
NF = 1.1分贝2 GHz的
最大稳定增益:
20分贝在f = 2 GHz的
新LOW PROFILE M16包装:
扁平引线型与刚0.50毫米高度
NE662M16
描述
NEC的NE662M16正在使用NEC的UHS0 25 GHz的˚F制造
T
晶圆工艺。为25 GHz的典型转变的频率
该NE662M16是在应用程序从100MHz到超过可用
10千兆赫。该NE662M16提供了出色的低电压/低
目前的业绩。
NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M16"封装非常适合
今天的便携式无线应用。该NE662M16是
在所有移动LNA和振荡器要求的理想选择
通信系统。
M16
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ,我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
正向电流
收益
2
在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
GHz的
dB
dB
dB
DBM
pF
14
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 30 mA时, F = 2 GHz的
最大稳定增益
4
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
IN
= Z
选择
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
三阶截点在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
反馈电容
3
在V
CB
= 2 V,I
C
= 0中,f = 1 MHz的
单位
nA
nA
50
20
70
25
20
17
1.1
11
22
0.14
0.24
1.5
NE662M16
2SC5704
M16
典型值
最大
200
200
100
DC
I
EBO
h
FE
f
T
味精
|S
21E
|
2
NF
P
1dB
IP
3
CRE
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
µs,
占空比
2 %.
3.电容由电容计(自动平衡电桥法)时,发射极管脚被连接到防护针测量。
4.味精= S
21
S
12
RF