NPN硅高
高频三极管
特点
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•
高增益带宽：
f
T
= 15 GHz的
高功率增益：
IS
21E
I
2
= 11 dB典型值在2 GHz
低噪声系数：
NF = 1.2分贝2 GHz的
高IP3 ：
NF = 27 dBm的在2 GHz
最大稳定增益：
15分贝@ 2 GHz的
LOW PROFILE M04包装：
SOT- 343的足迹，与刚刚0.59毫米的高度。
扁平引线型更好的RF性能。
M04
NE663M04
描述
NEC的NE663M04正在使用NEC的UHS0 25 GHz的˚F制造
T
晶圆工艺。为19 GHz的典型转变的频率
该NE663M04是在应用程序从100MHz到5可用
千兆赫。该NE663M04提供了出色的低电压/低
目前的业绩。
NEC的低调/扁平引脚风格"M04"封装非常适合
今天的便携式无线应用。该NE663M04是
在所有移动LNA和振荡器要求的理想选择
通信系统。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CE
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益
2
在V
CE
= 2 V，I
C
= 10毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 90 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
最大稳定增益
4
在V
CE
= 2 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V，I
C
= 70毫安
5
， F = 2 GHz的
三阶截点在V
CE
= 2 V，I
C
= 70 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2千兆赫，Z
IN
= Z
选择
反馈电容
3
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0中，f = 1 MHz的
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
dB
pF
单位
µA
µA
50
13
8
70
15
11
15
17
27
1.2
0.5
1.7
0.75
民
NE663M04
2SC5509
M04
典型值
最大
0.6
0.6
100
DC
I
EBO
h
FE
f
T
|S
21E
|
2
味精
P1dB
IP
3
NF
CRE
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
3.电容由电容计（自动平衡电桥法）时，发射极管脚被连接到防护针测量。
4.味精= S
21
S
12
5.集电极电流P1dB压缩。
RF
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
