NEC的
中功率NPN NE664M04
高硅晶体管FRQUENCY
特点
•
•
•
•
高增益带宽：
f
T
= 20 GHz的
+0.30
高线性增益：
G
L
= 12分贝1.8 GHz的
+0.40
-0.05
2
高输出功率：
P
-1dB
= 26 dBm的1.8 GHz的
2.05±0.1
1.25±0.1
2.0±0.1
1.25
0.65 0.65
0.65 0.65
LOW PROFILE M04包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
3
R57
描述
NEC的NE664M04正在使用NEC的先进设备，最先进的制造
UHS0 25 GHz的˚F
T
晶圆工艺。用的过渡频率
20 GHz时， NE664M04是从100 MHz的应用程序可用
以超过3 GHz的。该NE664M04提供26 dBm的P1dB为的，甚至
用低电压和低电流，从而使该装置中的
为输出或驱动器级用于移动或固定的最佳选择
无线应用。
该NE664M04坐落在NEC的低调/平导的风格
"M04"包
1
+0.30
-0.05
（引线1,3和4 ）
+0.01
0.59±0.05
4
引脚连接
1.发射器
3.辐射源
2.收集
4.基地
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
EIAJ
3
注册号
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
DC
当前
1
增益V
CE
= 3 V，I
C
= 100毫安
DBM
dB
DBM
dB
%
GHz的
pF
16
5.0
在在V 1 dB压缩点的输出功率
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 4毫安，
F = 1.8千兆赫，P
in
= 15 dBm的1/2占空比
线性增益在V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 20 mA时， F = 1.8千兆赫，P
in
= 0 dBm时，
1/2占空比
最大可用功率增益
4
在V
CE
= 3 V，I
C
= 100 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 100 mA时， F = 2 GHz的
集热效率， 3.6 V，I
CQ
= 4毫安， F = 1.8千兆赫，P
in
- 15 dBm时，
1/2占空比
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 100 mA时， F = 0.5 GHz的
反馈电容
2
在V
CB
= 3 V，I
C
= 0中，f = 1 MHz的
单位
nA
nA
40
60
26.0
12.0
12.0
6.5
60
20
1.0
1.5
民
NE664M04
M04
2SC5754
典型值
最大
1000
1000
100
DC
I
EBO
h
FE
P
1dB
G
L
MAG
|S
21E
|
2
η
c
f
T
CRE
注意事项：
1.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
2.集电极基极电容通过电容计（自动平衡电桥法）时，发射极管脚被连接到测量
电容计后卫脚。
日本三电子INDUSTRAIL协会
4.
MAG = | S
21
|
|S
12
|
RF
(
K -
K
2
- 1
).
美国加州东部实验室
+0.11
-0.05
+0.1
1.30
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
