欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NE66719 参数 Datasheet PDF下载

NE66719图片预览
型号: NE66719
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NEC的NPN硅高频三极管 [NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 8 页 / 107 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NE66719的Datasheet PDF文件第8页  
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽:
f
T
= 21 GHz的
低噪声系数:
NF = 1.1分贝2 GHz的
最大增益较高:
20分贝在f = 2 GHz的
2
NE66719
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形19
1.6±0.1
0.8±0.1
1.6±0.1
0.2
-0
1.0
NEC公司的NE66719使用NEC的UHS0 25 GHz的˚F制造
T
晶圆工艺。该器件是理想的振荡器或低噪声
放大器应用在2GHz以上。
0.5
3
1
0.75±0.05
0.6
0-0.1
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ,我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
正向电流增益
2
在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安
增益带宽在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
最大可用功率增益
4
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
最大稳定
收益
5
在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 5毫安, F = 2千兆赫,Z
S
= Z
选择
三阶截点在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
反馈电容
3
在V
CB
= 2 V,I
C
= 0中,f = 1 MHz的
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
9.0
9.5
单位
nA
nA
50
18
70
21
12.5
13.5
11.0
11.5
1.1
22
0.24
0.30
1.5
NE66719
2SC55667
19
典型值
最大
100
100
100
DC
I
EBO
h
FE
f
T
MAG
味精
|S
21e
|
2
|S
21e
|
2
NF
IP
3
CRE
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
µs,
占空比
2 %.
3.电容由电容计(自动平衡电桥法)时,发射极管脚被连接到防护针测量。
4. MAG = S
21
(
K- (K
2
-1)
)
S
12
5.味精=
S
21
S
12
RF
美国加州东部实验室
0.15
-0.05
+0.1
0.3
-0
+0.1
描述
0.5
+0.1
UB