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NE681M13-T3-A 参数 Datasheet PDF下载

NE681M13-T3-A图片预览
型号: NE681M13-T3-A
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内容描述: NEC的NP硅晶体管 [NECs NP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 149 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NEC的NPN硅晶体管
NE681M13
特点
新的微型M13包装:
- 小外形晶体管 -
1.0× 0.5× 0.5毫米
- 薄型/ 0.50毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
高增益带宽积:
f
T
= 7 GHz的
低噪声系数:
NF = 1.4分贝
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形M13
+0.1
0.5 –0.05
+0.1
0.15 –0.05
1
0.35
0.3
2
XX
1
+0.1
1.0 –0.05
3
0.7
0.35
2
+0.1
0.15 –0.05
0.2
3
+0.1
0.2 –0.05
0.1
0.1
0.2
描述
NEC的NE681M13晶体管是理想的低噪声,高增益,
和低成本放大器应用。 NEC新的低姿态/
扁平引脚风格"M13"封装非常适合今天的便携式
无线应用。该NE681也是在芯片可用,
微x和六种不同的低成本塑料表面贴装
封装形式。
0.5±0.05
+0.1
0.125 –0.05
底部视图
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
产品型号
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
µA
µA
pF
10
80
4.5
NE681M13
2SC5615
M13
典型值
7
1.4
12
145
0.8
0.8
0.9
2.7
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
µs,
占空比
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
美国加州东部实验室