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NE68139R-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE68139R-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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硅晶体管
NE681系列
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
•高增益带宽积:
f
T
= 8 GHz的
•低噪声系数:
1.2分贝在1 GHz
1.6分贝在2 GHz
•高相关的增益:
在1 GHz 15分贝
12分贝在2 GHz
·低成本
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
味精
20
3.0
MAG
10
相关联的增益,最大稳定增益
而最大可用增益,
GA ,味精, MAG (分贝)
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NEC的NE681系列NPN外延硅晶体管
专为低噪音,高增益,低成本放大器的应用
系统蒸发散。两个芯片和微型X版本都适合
放大器应用多达4千兆赫。该NE681芯片还
在六个不同的低成本塑料表面贴装封装
时代风格。 NE681独特的器件特性允许你
使用单一的匹配点同时实现低
噪声和高增益。
18 ( SOT 343 STYLE)
19 ( 3针Ultra
超小模)
噪声系数,增益MSG
和MAG与频率
30 ( SOT 323 STYLE)
33 ( SOT 23 STYLE)
最小噪声系数, NF分钟(分贝)
39 ( SOT 143 STYLE)
39R ( SOT 143R STYLE)
2.0
NF
G
A
0
1.0
0.5
1.0
2.0
3.0
频率f ( GHz)的
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发表日期: 2005年6月28日