NE681系列
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
噪声系数在V
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
在V相关的增益
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
at
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流为
V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
发射极截止电流为
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 3 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
NE68100
00 （ CHIP ）
单位最小典型最大
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
9.0
NE68118
NE68119
NE68130
2SC5012
2SC5007
2SC4227
18
19
30
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
9.0
7.0
1.2
1.6
2.3
14
12
17
11
100
250
13
15
9
100
250
80
µA
µA
pF
pF
mW
1.0
1.0
1.0
1.0
0.45
0.2
0.7
80
600
0.25
0.8
833
150
1000
100
833
150
160
1.0
1.0
0.9
0.45
40
240
1.0
1.0
0.9
2.5
1.4
1.8
14
10
14
8
7.0
1.5
1.6
13.5
9
13
7.5
符号
f
T
NF
G
NF
|S
21E
|
2
9
50
h
FE
50
I
CBO
I
EBO
C
RE3
R
号（j -a）的
P
T
热阻（结到环境）
° C / W
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
噪声系数在V
CE
= 8 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
在V相关的增益
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
在V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
热阻（结到环境）
总功耗
µA
µA
pF
° C / W
mW
0.35
NE68133
NE68135
NE68139/39R
2SC3583
2SC3604
2SC4094
33
35
39
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
9.0
1.2
2
1.6
13
12
11
12.5
7
250
1.0
1.0
0.9
625
200
0.2
15
8.5
250
1.0
1.0
0.7
590
295
0.25
50
100
200
1.0
1.0
0.8
625
200
2.3
13.5
9.0
9.0
1.2
2
符号
f
T
NF
G
NF
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
|S
21E
|
2
9
50
11
100
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE3
R
号（j -a）的
P
T
50
100
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲（PW
≤
350毫秒，占空比
≤
2 %).
3.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
