NE685M13-T3-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NE685M13-T3-A
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 158 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NEC的NPN硅晶体管NE685M13

特点

•

新的微型M13包装：

- 小外形晶体管

- 1.0× 0.5× 0.5毫米

- 薄型/ 0.50毫米封装高度

- 更好的RF性能扁平引线型

高增益带宽积：

= 12 GHz的

外形尺寸

（以毫米单位）

包装外形M13

0.15

+0.1

ñ0.05

0.7±0.05

0.5

+0.1

ñ0.05

0.2

+0.1

ñ0.05

（底视图）

0.3

•

0.35

1.0

+0.1

ñ0.05

0.7

低噪声系数：

NF = 1.5分贝2 GHz的

0.35

描述

NEC的NE685M13晶体管是专为低噪音，高

增益和低成本的要求。这种高F

部是非常适合

为低电压/低电流设计为便携式无线

通信和蜂窝无线电应用。 NEC新

低调/扁平引脚风格"M13"封装非常适合今天的

便携式无线应用。该NE685同时有

六种不同的低成本塑料表面贴装封装形式。

0.15

+0.1

ñ0.05

0.1

0.2

0.125

+0.1

ñ0.05

0.5±0.05

引脚连接

1.发射器

2.基

3.收集

电气特性

= 25°C)

EIAJ

符号

21E

FE2

CBO

EBO

RE3

产品型号

数

包装外形

单位

GHz的

µA

0.4

7.0

民

NE685M13

2SC5617

M13

典型值

12.0

1.5

11.0

140

0.1

0.7

2.5

最大

参数和条件

增益带宽在V

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

噪声系数在V

= 3 V，I

= 3毫安， F = 2千兆赫，Z

= Z

选择

插入功率增益在V

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

正向电流增益在V

= 3 V，I

= 10毫安

集电极截止电流在V

= 5 V，I

= 0

发射极截止电流在V

= 1 V，I

= 0

反馈电容在V

= 3 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

注意事项：

1.日本电子工业协会。

2.脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

µs,

占空比

≤

2 %.

3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。

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