NEC表面贴装NPN
硅高频三极管
特点
·低成本
•小型和超小型尺寸封装
•低电压/低电流工作模式
•高增益带宽积：
f
T
12 GHz的
1.5分贝2.0 GHZ •噪声系数
NE685
系列
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:
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描述
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日月光
PL E I升S：
电气特性
等人539R
d
68
NE 8530
E6
N
33
685
NE
18 （ SOT 343 STYLE）
19 （ 3 PIN超超
MINI模）
NEC的家庭高频，低成本，表面安装
器件非常适用于便携式无线通信
和蜂窝无线电应用。
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
在NE685系列高F的
T
（12 GHz）的设备是适合于
非常低的电压/低电流，低噪声的应用。这些
产品应用的理想选择高达2.4 GHz的低的地方
成本，高增益，低电压和低电流是素CON-
cerns 。
39 （ SOT 143 STYLE）
39R （ SOT 143R STYLE）
(T
A
= 25°C)
EIAJ
2
注册
产品型号
1
数
包装外形
NE68518
2SC5015
18
NE68519
2SC5010
19
NE68530
2SC4959
30
NE68533
2SC4955
33
NE68539/39R
2SC4957
39
符号参数和条件单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
f
T
增益带宽积为
V
CE
= 3V ，我
C
= 10 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 3 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
在相关的增益
V
CE
= 3V ，我
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
最大可用增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 3V ，我
C
= 10 mA时， F = 2.0 GHz的
正向电流增益
3
at
V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 3 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻
（结到环境）
GHz的
dB
12
12
12
12
12
NF
民
G
NF
1.5
2.5
1.5
2.5
1.5
7
2.5
1.5
7
2.5
1.5
2.5
dB
8.5
12
7.5
11
7.5
11
MAG
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE4
P
T
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
dB
dB
9
10
7
75
8.5
110 150
0.1
0.1
0.4
0.7
150
833
200
7
75
10.5
8
110 150
0.1
0.1
0.4
0.7
180
620
200
9
75
11
7
75
9
110 150
0.1
0.1
0.4
0.7
125
1000
200
10
110 150
0.1
0.1
0.3
0.5
180
620
200
75 110 150
μA
μA
pF
mW
° C / W
0.3
0.1
0.1
0.5
150
833
200
热阻（结到管壳）
° C / W
注意事项： 1，注意事项：设备是ESD敏感。使用正确的处理程序。
2.日本电子工业协会。
3.脉冲测量， PW≤350
μs,
占空比
≤2%.
4.发射端子应连接到接地端
的3端子电容电桥。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
