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NE687M03-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE687M03-T1-A图片预览
型号: NE687M03-T1-A
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内容描述: NEC的NPN硅晶体管 [NECs NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 310 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NEC的
NE687M03
NPN硅晶体管
特点
新的M03包装:
•用最小的晶体管外形封装
•低廓/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
高增益带宽积:
f
T
= 14 GHz的
低噪声系数:
NF = 1.4分贝2 GHz的
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
2
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
3
+0.1
0.3 -0
描述
NEC的NE687M03晶体管是专为低噪音,高
增益和低成本的要求。这种高F
T
部是非常适合
对于非常低电压/低电流设计为便携式无线
通信和蜂窝无线电应用。 NEC新
低廓/ FL在铅风格"M03"封装非常适合今天的
便携式无线应用。该NE687同时有
六种不同的低成本塑料表面贴装封装形式。
1
+0.1
0.2 -0
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE
2
I
CBO
I
EBO
C
RE
3
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 2 V,I
C
= 20毫安
集电极截止电流在V
CB
= 5 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 2 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
μA
μA
pF
0.4
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
8.5
6
70
9
7
NE687M03
2SC5436
M03
典型值
14
12
1.3
1.3
10
9.0
130
0.1
0.1
0.8
2
2
最大
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量,脉冲宽度
350
μs,
占空比
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
美国加州东部实验室