表面贴装NPN硅
高频三极管
特点
•低噪音：
1.3分贝为2.0 GHz的
•低电压工作
•易于搭配
•高增益带宽积：
f
T
13 GHz的
•有六种低成本的塑料表面
贴装类型
18 （ SOT 343 STYLE）
NE687
系列
19 （ 3 PIN超超
MINI模）
ERS
描述
MB OT
T E ： A R T N ü简
NO克对
ar
GN 。
E
et
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T
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电气特性
OM通话S9
REC SE
乐一LS ：
P
泰30
德87
E6
N
733
68
NE 8739
NE 6 8 7 3 9 R
E6
N
NEC的NE687系列NPN外延硅晶体管
专为低成本，低噪声应用。优秀perfor-
曼斯在低电压/低电流，使这一系列的理想
为1.6 ， 1.9和2.4的便携式无线应用的选择
千兆赫。该NE687芯片是在六个不同的低成本的塑料可
表面贴装封装形式。
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
39 （ SOT 143 STYLE）
(T
A
= 25°C)
产品型号
1
EIAJ
2
注册号码
包装外形
NE68718
2SC5185
18
NE68719
2SC5186
19
NE68730
2SC5184
30
NE68733
2SC5182
33
符号
f
T
f
T
NF
民
NF
民
|S
21e
|
|S
21e
|
h
FE
2
2
39R （ SOT 143R STYLE）
NE68739/39R
2SC5183/83R
39/39R
参数和条件单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
GHz的
GHz的
dB
dB
10
8
13
9
11
9
9
11
9
9
12
7.5
7
10
8.5
1.3
1.3
10
8.5
140
100
100
0.4
0.8
90
625
2.0
2.0
I
CBO
I
EBO
C
RE4
P
T
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
增益带宽积为
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2.0 GHz的
增益带宽积为
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
最小噪声系数为
V
CE
= 1 V，I
C
= 3 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 2V ，我
C
= 20 mA时， F = 2.0 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 1V ，我
C
= 10 mA时， F = 2.0 GHz的
正向电流增益
3
at
V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
11
7
7
7
10
1.3
1.3
11
9
2.0
2.0
1.3
1.3
10
2.0
2.0
1.3
1.3
2.0
2.0
1.3
1.3
2.0
2.0
dB
dB
8
8.5
6
7
8.5
7
8.5
7.5
7
7.5
70
7.5
6
7.5
6
7.5
140
70
140
70
140
70
140
70
nA
nA
pF
mW
° C / W
° C / W
0.3
100
100
0.6
90
833
0.4
100
100
0.8
90
1250
0.4
100
100
0.8
90
833
0.4
100
100
0.8
90
625
注意事项：
3.脉冲测量， PW
≤
350
µs,
占空比
≤
2%.
1，注意事项：设备是ESD敏感。使用正确的处理程序。 4.发射端子应连接到接地端
2.日本电子工业协会。
的3端子电容电桥。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
