欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NE68939-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68939-T1-A图片预览
型号: NE68939-T1-A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延型晶体管 [NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 150 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NE68939-T1-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE68939-T1-A的Datasheet PDF文件第3页  
NEC的NPN硅外延
晶体管
特点
•输出功率1dB压缩点:
24.5 dBm的典型@F = 1.9 GH
Z
, V
CE
= 3.6 V , AB类,
值班1/8
• 4针微型模压封装:
NE68939
NE68939
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形39
+0.2
2.8 -0.3
+0.2
1.5 -0.1
+0.10
0.4 -0.05
( LEADS 2,3, 4)
2.9
±
0.2
0.95
0.85
2
3
1.9
描述
NEC的NE68939是一个低电压, NPN硅双极转录
体管的脉冲功率应用。本设备被设计
从3.6 V电源供电,并提供超过1/4瓦
动力输出频率高达2.0 GH
Z
用1:8的占空
周期。这些特性使其成为德克萨斯州的理想设备
在1.9 GH驱动级
Z
数字无绳电话(DECT或
小灵通) 。该器件采用SOT- 143 ( SC - 61 ), 4针迷你型提供
模具封装,可在磁带和卷轴。
该NE68939晶体管制造NEC的有着极为
绅士的质量保证标准,以确保最高的可靠性
和一致的性能优越。
1
+0.10
0.6 -0.05
4
1 )收集
2 )辐射源
3 )基
4 )发射器
+0.2
1.1 -0.1
0.8
0.16 +0.10
-0.06
0-0.1
电气特性
(T
A
= 25
°C)
产品型号
封装代码
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
P
-1
G
p
参数
集电极截止电流,V
CB
= 5 V,I
E
= 0
发射极截止电流,V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益,V
CE
= 3.6 V,I
C
= 100毫安
输出功率
功率增益
收藏家EF网络效率
V
CE
= 3.6 V , F = 1.9 GH
Z
ICQ = 2 MA( AB类)
值班1/8
DBM
dB
%
M
S
6.5
50
单位
µA
µA
30
24.5
8
62
10.0
NE68939
39
典型值
最大
2.5
2.5
η
C
T
ON
最大的设备时
美国加州东部实验室