NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
•
•
•
•
•
高F
T
:
14 GHz的典型值， 3 V ， 10毫安
低噪声系数：
NF = 1.6 dB典型值在2 GHz
高增益：
|S
21E
|
2
= 14 dB典型值在2 GHz
6针小型微型模压封装
出色的低电压，低电流
性能
2.0
±
0.2
1.3
2
0.65
1
NE696M01
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M01
顶视图
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
6
0.2 （所有信息）
5
T95
SIDE VIEW
3
4
描述
NEC的NE696M01是NPN型高频硅外延
晶体管（ NE685 ）封装在一个超小型6引脚SOT-
363包。它的四个发射器引脚降低发射器的电感
导致3分贝更多增益相比于传统的SOT-23
和SOT -143器件。该NE696M01是理想的LNA和
预驱动器的应用程序达2.4 GHz的低成本，高增益，
低电压和低电流是主要的考虑因素。
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
0 ~ 0.1
+0.10
引脚输出
1.发射器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
5.发射
6.集热器
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
单位
µA
µA
80
120
14
0.15
14
1.6
民
NE696M01
M01
典型值
最大
0.1
0.1
160
注意事项：
1.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
3.对于磁带和卷轴版本使用部件号NE696M01 -T1 ， 3K每卷。
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
