NPN硅晶体管NE856M03
特点
•
新的M03包装：
•用最小的晶体管外形封装
•薄型/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
CMAX
= 100毫安
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
1
0.2±0.1
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
2
•
•
TC
3
0.3±0.1
描述
NEC的NE856M03晶体管是专为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M03"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
µs,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
µA
µA
pF
0.7
7.0
80
民
3.0
NE856M03
2SC5432
M03
典型值
4.5
1.4
10.0
145
1.0
1.0
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
