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NE85630-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE85630-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NPN硅晶体管RF
NE856系列
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽积:
f
T
= 7 GHz的
E
低噪声系数:
在1 GHz 1.1分贝
高集电极电流:
百毫安
高可靠性金属化
低成本
00 ( CHIP )
V
CC
= 10 V,I
C
7毫安
味精
4.0
20
噪声系数NF ( dB)的
3.5
3.0
2.5
G
A
15
MAG
10
最大相关增益,最大稳定增益,
相关的增益, MAG ,味精,G
A
( dB)的
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NE 5639R
NE 8
NEC的NE856系列NPN硅外延晶体管是
专为低成本放大器和振荡器应用。低
噪声系数,高增益和高电流能力等同于
宽动态范围和出色的线性度。在NE856系列
提供以低成本优良的性能和可靠性。这是
通过NEC的钛/铂/金金属系实现
TEM和他们的直接氮化物钝化的基面处理。
在NE856系列是在芯片的形式和一个Micro -X可
包用于高频应用。它也可用于
几个低成本塑料封装形式。
32( TO-92 )
34 ( SOT 89 STYLE)
18 ( SOT 343 STYLE)
NE85600
噪声系数和增益
与频率的关系
30 ( SOT 323 STYLE)
33 ( SOT 23 STYLE)
5
B
35 ( MICRO- X)的
19 ( 3 PIN超超
MINI模)
NF
2.0
1.5
1.0
0.4 0.5
1.0
2
3
4
5
频率f ( GHz)的
39 ( SOT 143 STYLE)
39R ( SOT 143R STYLE)
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发表日期: 2005年6月28日