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NE85634-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE85634-T1-A图片预览
型号: NE85634-T1-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856系列
典型性能曲线
(T
A
= 25
°C)
NE85634
正向插入增益
和最大可用增益
与频率的关系
25
25
NE85635
正向插入增益
和最大可用增益
与频率的关系
插入增益, | S
21E
|
2
( dB)的
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
20
插入增益, | S
21E
|
2
( dB)的
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安
20
15
MAG
10
15
MAG
10
|S
21E
|
2
5
|S
21E
|
2
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
-5
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
5
10
频率f ( GHz)的
频率f ( GHz)的
NE85632和NE85634
互调失真
与集电极电流
-80
增益带宽积
与集电极电流
10
增益带宽积,女
T
(千兆赫)
V
CE
= 10 V
7
NE85633
NE85635
IM
3
-70
5
NE85632
NE85634
IM
2
, IM
3
( dB)的
V
CE
= 10 V
V
O
= 100平dBμV / 50
Ω
R
G
= R
L
= 50
Ω
-60
IM
2
3
-50
2
-40
IM
2
F = 90 + 100兆赫
IM
3
f = 2
X
200-190兆赫
1
1
2
3
5
7 10
20 30
50 70 100
-30
20
30
40
50
60
70
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
插入增益与
集电极电流
16
V
CE
= 10 V
F = 1 GHz的
NE85635
插入增益与
集电极电流
24
V
CE
= 10 V
F = 500 MHz的
插入增益, | S
21E
|
2
( dB)的
( dB)的
14
NE85633
20
F = 1 GHz的
16
12
插入增益,
10
NE85632
|S
21E
|
2
12
F = 2 GHz的
8
NE85634
8
6
4
4
1
2
3
5
7
10
20 30
50 70 100
0
1
2
5
10
20
50
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )