NPN硅晶体管NE894M13
特点
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•
•
•
•
新的微型M13包装：
- 小外形晶体管
– 1.0 X 0.5 X 0.5 mm
– Low profile / 0.50 mm package height
- 更好的RF性能扁平引线型
IDEAL FOR > 3 GHz的OSCILLATORS
低噪声，高增益
低C
re
UHSO 25 GHz的过程
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M13
0.15
+0.1
ñ0.05
0.7±0.05
0.5
+0.1
ñ0.05
（底视图）
0.3
0.2
+0.1
ñ0.05
0.35
2
1.0
+0.1
ñ0.05
3
B7
0.7
0.35
0.15
+0.1
ñ0.05
1
描述
NEC's NE894M13 transistor is designed for oscillator applica-
tions above 3 GHz. The NE894M13 features low voltage, low
当前操作，低噪音，高增益。 NEC的新低
profile/flat lead style "M13" package is ideal for today's portable
无线应用。
0.1
0.1
0.2
0.2
0.125
+0.1
ñ0.05
0.5±0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
nA
nA
pF
民
17
11
–
–
50
–
–
NE894M13
2SC5787
M13
典型值
13
0.22
–
–
–
1.4
20
最大
–
0.30
100
100
100
2.5
–
符号
|S
21E
|
2
| NF
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
re
f
T
参数和条件
插入功率增益在V
CE
= 1 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
逆转？转移？容
3
在V
CB
= 0.5 V, I
E
= 0 mA, f = 1 MHz
集电极截止电流在V
CB
= 5 V, I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V, I
C
= 0
DC ？现在？增益
2
在V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA
噪声系数在V
CE
= 1 V, I
C
= 5 mA, f = 2 GHz, Z
S
= Z
选择
增益带宽在V
CE
= 1 V, I
C
= 20 mA, f = 2 GHz
注意事项：
1. Electronic Industrial Association of Japan.
2.脉冲测量，脉冲宽度≤ 350微秒，占空比≤ 2 ％ 。
3. Collector to base capacitance when the emitter is grounded
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
