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NE97833-T1B-A 参数 Datasheet PDF下载

NE97833-T1B-A图片预览
型号: NE97833-T1B-A
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内容描述: PNP硅高频三极管 [PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 170 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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PNP硅高
高频三极管
特点
•高增益带宽积:
f
T
= 5.5 GHz的TYP
•高速开关特性
• NPN恭维可供选择:
NE02133
•高插入功率增益:
|S
21E
|
2
= 10分贝1 GHz的
33 ( SOT 23 STYLE)
NE97833
描述
NEC公司的NE97833 PNP硅晶体管设计
超高速电流模式开关的应用和
微波放大器高达3.5 GHz 。该NE97833报价
优良的性能和可靠性,低成本。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE
2
P
T
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= -10 V,I
C
= -15毫安
噪声系数在V
CE
= -10 V,I
C
= -3毫安
插入功率增益在V
CE
= -10 V,I
C
= -15毫安, F = 1 GHz的
正向电流增益比在V
CE
= -10 V,I
C
= -15毫安
集电极截止电流在V
CB
= -10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
BE
= -2 V,I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= -10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
总功耗
µA
µA
pF
mW
0.5
单位
GHz的
dB
dB
8.0
20
4.0
NE97833
2SA1978
33
典型值
5.5
2.0
10.0
40
100
-0.1
-0.1
1.0
200
3.0
最大
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.电容式测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
美国加州东部实验室