NPN硅锗RF晶体管
NESG2030M04
NPN硅锗高频三极管
特点
•
•
•
•
SiGe技术：
f
T
= 60 GHz的过程
低噪声系数：
NF = 0.9 dBm的在2 GHz
最大稳定增益：
味精= 20分贝2 GHz的
新LOW PROFILE M04包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M04
描述
NEC的NESG2030M04采用国家最先进的NEC的硅锗晶片工艺制造。用的典型转变的频率
60GHz的NESG2030M04是在应用程序从100MHz到超过10千兆赫可用。的35毫安提供最大直流电流输入
用250的可使用的电流范围内的设备
μA
到25毫安。该NESG2030M04提供了出色的低电压/低电流性能。
NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M04"封装非常适合当今的便携式无线应用。该NESG2030M04是一种理想的
选择在所有的移动通信系统中低噪声放大器和振荡器的需求。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
I
CBO
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 0.5 V，I
C
= 0
直流电流增益
2
在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
反向传输电容
3
在V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2千兆赫，Z
IN
= Z
选择
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2千兆赫，Z
S
= Z
选择
最大稳定增益
4
在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
三阶截点，V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
pF
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
18
16
单位
nA
nA
200
0.17
0.9
16
20
18
12
22
民
NESG2030M04
2SC5761
M04
典型值
最大
200
200
400
0.22
1.1
DC
I
EBO
h
FE
C
re
NF
G
a
味精
RF
|S
21E
|
2
P
1dB
OIP
3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
3.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
4.味精= S
21
S
12
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
发表日期： 2005年6月22日
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
