NESG2031M05
NEC的硅锗NPN
高频三极管
特点
•
•
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
低噪声系数：
NF = 0.8 dBm的在2 GHz
NF = 1.3 dBm的5.2 GHz的
最大稳定增益：
味精= 21.5分贝在2 GHz
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
无铅可用（-A ）
NPN硅锗RF晶体管
•
•
M05
•
NEC的NESG2031M05使用NEC's高压硅锗工艺（ UHS2 -HV ）制造的，而且是专为宽
广泛的应用，包括低噪声放大器器，中等功率放大器器和振荡器。
NEC's低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05包提供了紧凑的无线设计的高频性能。
描述
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
a
NF
G
a
RF
味精
|S
21E
|
2
P
1dB
OIP
3
f
T
C
re
I
CBO
DC
I
EBO
h
FE
注意事项：
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到门卫引脚测得。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
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发表日期： 2005年6月22日
NESG2031M05
M05
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
GHz的
pF
nA
nA
130
190
20
15.0
19.0
16.0
民
典型值
1.3
10.0
0.8
17.0
21.5
18.0
13
23
25
0.15
0.25
100
100
260
1.1
最大
参数和条件
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
在1dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
输出3阶截取点在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
在V反向传输电容
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1 GHz的
2
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
3
在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
