NESG204619-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NESG204619-T1-A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅锗晶体管，低噪声，高增益放大 [NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	4 页 / 317 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

初步数据表

NEC的NPN硅锗晶体管NESG204619

针对低噪声，高增益放大

特点

•

非常适用于低噪声，高增益放大应用：

NF = 0.8 dB典型值。，G

= 11.0分贝TYP 。 @ V

= 1 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz的

高击穿电压技术促进SIGE晶体管：

首席执行官

（绝对最大额定值） = 5.0 V

3 -PIN SUPER MINIMOLD （ 19 ）包装

订购信息

产品型号

NESG204619-A

NESG204619-T1-A

QUANTITY

50个（非卷轴）

3千件/卷

供给方式

•8毫米宽压纹带卷

•引脚3（集电极）面对带的穿孔侧

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。

单位样本数量为50个。

绝对最大额定值

=+25ºC)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

记

英镑

评级

1.5

200

150

−65

+150

单位

°C

记

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

美国加州东部实验室

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案