NESG2046M33-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NESG2046M33-A
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内容描述：	NPN硅锗晶体管低噪声，高 - 获得扩增 [NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小：	4 页 / 289 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

初步数据表

NEC的NPN硅锗晶体管NESG2046M33

针对低噪声，高 - 获得扩增

特点

•

非常适用于低噪声，高增益放大应用：

NF = 0.8 dB典型值。，G

= 11.5分贝TYP 。 @ V

= 1 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz的

高击穿电压技术

FOR SIGE晶体管

首席执行官

（绝对最大额定值） = 5.0 V

•

3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）包装

订购信息

产品型号

NESG2046M33-A

NESG2046M33-T3-A

QUANTITY

50个（非卷轴）

10千件/卷

供给方式

•8毫米宽压纹带卷

•引脚2 （碱）所面对的带的穿孔侧

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。

单位样本数量为50个。

绝对最大额定值

=+25ºC)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

记

评级

1.5

130

150

−65

+150

单位

°C

英镑

记

安装在1.08厘米

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

美国加州东部实验室

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