NEC的硅锗NPN
NESG2101M05
高频三极管
特点
•
•
•
•
•
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
高输出功率：
P
1dB
= 21 dBm的在2 GHz
低噪声系数：
NF = 0.9分贝2 GHz的
最大稳定功率增益：
味精= 17分贝2 GHz的
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M05
描述
NEC的NESG2101M05使用NEC's高压制成
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器
NEC's低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
P
1dB
G
L
NF
G
a
NF
G
a
味精
|S
21E
|
2
f
T
C
re
I
CBO
DC
I
EBO
h
FE
注意事项：
RF
参数和条件
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
线性增益，V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
3
NESG2101M05
M05
单位
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
pF
nA
nA
130
190
14.5
11.5
14
11.0
民
典型值
21
15
0.9
13.0
0.6
19.0
17.0
13.5
17
0.4
0.5
100
100
260
1.2
最大
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
