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NESG2107M33 参数 Datasheet PDF下载

NESG2107M33图片预览
型号: NESG2107M33
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内容描述: NEC的NPN硅晶体管 [NECs NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 305 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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初步数据表
NEC的NPN硅晶体管NESG2107M33
特点
理想选择OSC 。 ,高增益放大
应用
高击穿电压技术
FOR SIGE晶体管
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD ( M33 )包装
订购信息
产品型号
NESG2107M33-A
NESG2107M33-T3-A
QUANTITY
50个(非卷轴)
10千件/卷
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚2 (碱)所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售网络的CE 。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25ºC)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
13.0
5.0
1.5
100
130
150
−65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室