NPN硅锗RF晶体管
NESG3031M05
NPN硅锗RF晶体管
低噪声，高增益放大
FLAT - LEAD 4针薄型SUPER MINIMOLD （ M05 ， 2012 PKG ）
特点
•该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择
NF = 0.6 dB典型值。 ，G
a
= 16.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 2.4 GHz的
NF = 0.95 dB典型值。 ，G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.2 GHz的
NF = 1.1 dB典型值。 ，G
a
= 9.5 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 5.8 GHz的
•最大稳定功率增益：味精= 14.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 5.8 GHz的
•的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F
最大
= 110 GHz的
•扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M05 ， 2012 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG3031M05
订单号
NESG3031M05-A
包
扁平引脚4引脚薄型超
minimold （ M05 ， 2012 PKG ）
NESG3031M05 -T1 NESG3031M05 -T1 -A
（无铅）
记
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
12.0
4.3
1.5
35
150
150
−65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10414EJ03V0DS （第3版）
发布日期2005年11月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
