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NESG3031M14 参数 Datasheet PDF下载

NESG3031M14图片预览
型号: NESG3031M14
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内容描述: NPN硅锗高频三极管 [NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 548 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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数据表
NEC的硅锗NPN
NESG3031M14
高频三极管
特点
•设备的理想选择低噪声,
高增益放大:
NF = 0.95 dB典型值。 ,G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 6毫安, F = 5.2 GHz的
NF = 1.1 dB典型值。 ,G
a
= 9.5 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V,I
C
= 6毫安, F = 5.8 GHz的
•最大稳定功率增益:
味精= 15.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 20 mA时, F = 5.8 GHz的
•的SiGe HBT技术( UHS3 )通过了:
f
最大
= 110 GHz的
• M14包装:
4针引线少minimold包
M14包
订购信息
产品型号
NESG3031M14-A
NESG3031M14-T3-A
QUANTITY
50个(非卷轴)
10千件/卷
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚1 (珍藏) ,引脚4 (发射极)所面临的磁带的侧穿孔
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售网络的CE 。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
= +25ºC)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
12.0
4.3
1.5
35
150
150
−65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
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美国加州东部实验室
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