NPN硅锗RF晶体管
NESG3033M14
NPN硅锗RF晶体管
低噪声，高增益放大
4 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M14 ， 1208 PKG ）
特点
•该设备是针对低噪声，高增益放大的理想选择
NF = 0.6 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 6毫安， F = 2.0 GHz的
•最大稳定功率增益：味精= 20.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 15 mA时， F = 2.0 GHz的
•的SiGe HBT技术（ UHS3 ）采用：F
最大
= 110 GHz的
•本产品的改进NESG3032M14的ESD的。
• 4针引线少minimold （ M14 ， 1208 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG3033M14
订单号
NESG3033M14-A
包
4针引线少minimold
（ M14 ， 1208 PKG ）
NESG3033M14 - T3 NESG3033M14 - T3 -A
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
10千件/卷
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚1 （珍藏） ，引脚4 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
注1
评级
5.0
4.3
12
35
150
150
−65
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
V
首席执行官
I
B
注1
I
C
P
合计
注2
T
j
T
英镑
注意事项1 。
V
CBO
我
B
由保护元件的容许电流的限制。
2.
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10640EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年9月NS CP （ K）
2006
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
