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NX7561JB-BC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NX7561JB-BC
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内容描述: NEC的1550纳米的InGaAsP多量子阱FP脉冲激光二极管DIP封装用于OTDR应用( 135毫瓦MIN ) [NECs 1550 nm InGaAsP MQW FP PULSED LASER DIODE IN DIP PACKAGE FOR OTDR APPLICATION (135 mW MIN)]
分类和应用: 二极管激光二极管脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 181 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NEC的1550纳米的InGaAsP多量子阱FP
脉冲激光二极管DIP封装
NX7561JB-BC
用于OTDR应用( 135毫瓦MIN )
特点
高输出功率:
P
f
= 135毫瓦分钟我
FP
= 1000毫安,
脉冲宽度( PW )= 10ms时,占空比= 1 %
长波长:
λ
C
= 1550纳米
内部热电冷却器
气密封装14引脚双列直插式封装
单模光纤尾纤
描述
NEC的NX7561JB -BC是1550纳米发达紧张Mul-
tiple量子阱( ST- MQW)结构的脉冲激光二极管DIP
用单模光纤和内部的热电模块
凉爽。它被设计用于光学测量的光源
设备( OTDR ) 。
光电特性
(T
LD
= 25 ° C,T
C
= -20至+ 65℃,除非另有规定)
产品型号
符号
V
FP
I
TH
P
f
参数和条件
正向电压, CW ,我
F
= 30毫安
阈值电流, CW
从纤维我光输出功率
FP
=千毫安
1
I
FP
= 600毫安
1
I
FP
= 400毫安
1
中心波长, RMS,我
FP
= 400 , 600 ,千毫安
1
谱宽, RMS,我
FP
= 400 , 600 ,千毫安
1
上升时间, 10-90 %
下降时间, 90-10 %
单位
V
mA
mW
mW
mW
nm
nm
ns
ns
135
70
20
1530
NX7561JB-BC
典型值
2.5
40
最大
4.0
70
λ
C
σ
t
r
t
f
1550
6.0
1.0
1.4
1570
10.0
2.0
2.0
注意:
1, PW = 10
µs,
占空比= 1 %
光电特性
适用于热敏电阻和TEC :
(T
LD
= 25 ° C,T
C
= -20至+ 65℃,除非另有规定)
产品型号
符号
R
1
B
I
C
V
C
∆T
1
参数和条件
热敏电阻的阻值,T
LD
= 25°C
B常数
散热器目前,
∆T
= 40 K
散热器的电压,
∆T
= 40 K
散热能力,我
C
= 0.8 A
单位
kΩ
K
A
V
K
40
9.5
3350
NX7561JB-BC
典型值
10.0
3450
0.6
1.1
最大
10.5
3550
0.8
1.5
注意:
1.
∆T
= | T
C
- T
LD
|.
美国加州东部实验室